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多孔硅量子点的受激辐射:陷阱态的作用

黄伟其 张荣涛 秦朝建 刘世荣 金峰 王海旭 许丽 吴克跃 陈亮

黄伟其, 张荣涛, 秦朝建, 等. 多孔硅量子点的受激辐射:陷阱态的作用[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21(08).
引用本文: 黄伟其, 张荣涛, 秦朝建, 等. 多孔硅量子点的受激辐射:陷阱态的作用[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21(08).
huang weiqi, zhang rongtao, qin chaojian, et al. Stimulated emission in porous silicon quantum dots:the role of trap states[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.
Citation: huang weiqi, zhang rongtao, qin chaojian, et al. Stimulated emission in porous silicon quantum dots:the role of trap states[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.

多孔硅量子点的受激辐射:陷阱态的作用

Stimulated emission in porous silicon quantum dots:the role of trap states

  • 摘要: 经激光辐照和高温退火后能够在硅基上生成氧化多孔硅结构。用514 nm的激光泵浦,观测到该多孔硅的受激辐射。当激励强度超过阈值时,在650~750 nm区域有很强的受激发光峰。这些受激发光峰的半高宽小于0.5 nm。激光辐照和高温退火后,在样品上能形成某些特殊的氧化结构。在傅里叶红外光谱分析中,显示有硅氧双键或硅氧桥键在硅表面形成。计算结果表明:当硅氧双键或硅氧桥键形成时,电子的陷阱态出现在纳晶硅的带隙中。价带顶和陷阱态之间的粒子数反转是解释这种受激辐射的关键。
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  • 刊出日期:  2009-08-15

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