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3 MV自耦式紫外预电离开关的设计

李俊娜 薛斌杰 贾伟 陈维青 汤俊萍 邱爱慈

李俊娜, 薛斌杰, 贾伟, 等. 3 MV自耦式紫外预电离开关的设计[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21(08).
引用本文: 李俊娜, 薛斌杰, 贾伟, 等. 3 MV自耦式紫外预电离开关的设计[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21(08).
li junna, xue binjie, jia wei, et al. Design of 3 MV UV illumination switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.
Citation: li junna, xue binjie, jia wei, et al. Design of 3 MV UV illumination switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.

3 MV自耦式紫外预电离开关的设计

Design of 3 MV UV illumination switch

  • 摘要: 基于紫外预电离技术和阻容耦合电路研制了应用于高功率装置的三串联3 MV自耦式紫外预电离开关。该开关由紫外预电离间隙和开关主间隙组成。根据同类开关在脉冲电压下的击穿数据推算出3 MV开关的间隙距离,开关主间隙的电场不均匀系数为1.58。采用台阶屏蔽技术使开关有机玻璃筒外沿面最大电场小于50 kV/cm,满足设计要求。设计紫外预电离间隙击穿电压为主脉冲电压的1%,理论模拟计算表明,在0.1~0.7 MPa范围内,预电离间隙电压大于在此范围内间隙击穿电压,保证可靠预电离。
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-08-15

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