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808 nm高占空比大功率半导体激光器阵列

李再金 胡黎明 王烨 张星 王祥鹏 秦莉 刘云 王立军

李再金, 胡黎明, 王烨, 等. 808 nm高占空比大功率半导体激光器阵列[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21(11).
引用本文: 李再金, 胡黎明, 王烨, 等. 808 nm高占空比大功率半导体激光器阵列[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21(11).
li zaijin, hu liming, wang ye, et al. High power high duty-cycle 808 nm wavelength laser diode[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.
Citation: li zaijin, hu liming, wang ye, et al. High power high duty-cycle 808 nm wavelength laser diode[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.

808 nm高占空比大功率半导体激光器阵列

High power high duty-cycle 808 nm wavelength laser diode

  • 摘要: 采用渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构,通过降低非辐射复合、有源层载流子泄露、散射和吸收损耗来提高出射效率和降低激光阈值电流,从而提高半导体激光器阵列的输出功率;同时使P面具有更高的粒子掺杂数密度,优化N面合金条件,降低半导体激光器的串联电阻,降低焦耳热,提高了半导体激光器阵列的转换效率。利用金属有机化学气相淀积技术生长GaInAsP/InGaP/AlGaAs渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构激光器材料,利用该材料制成半导体激光线阵列在20%高占空比的输入电流下,半导体激光器的输出峰值功率达到189.64 W(180 A),斜率效率为1.1 W/A,中心波长为805.0 nm,阈值电流为7.6 A,电光转换效率最高可达55.4%;在1%占空比的输入电流下,阵列的输出峰值功率可达324.9 W(300 A),斜率效率为1.11 W/A,阈值电流为7.8 A,电光转化效率最高达55.6%,中心波长为804.5 nm。
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  • 刊出日期:  2009-11-15

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