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低阻抗强流箍缩电子束二极管的3阶段电子束流模型

蒯斌 邱爱慈 王亮平 丛培天 梁天学

蒯斌, 邱爱慈, 王亮平, 等. 低阻抗强流箍缩电子束二极管的3阶段电子束流模型[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(12).
引用本文: 蒯斌, 邱爱慈, 王亮平, 等. 低阻抗强流箍缩电子束二极管的3阶段电子束流模型[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(12).
kuai bin, qiu ai-ci, wang liang-ping, et al. Three phases electron beam flow model for lowimpedance intensecurrent pinched electron beam diode[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.
Citation: kuai bin, qiu ai-ci, wang liang-ping, et al. Three phases electron beam flow model for lowimpedance intensecurrent pinched electron beam diode[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.

低阻抗强流箍缩电子束二极管的3阶段电子束流模型

Three phases electron beam flow model for lowimpedance intensecurrent pinched electron beam diode

  • 摘要: 在顺位流模型与“4阶段”粒子流动模型的基础上,提出了一种用于分析100ns/MA级电子束流的低阻抗强箍缩二极管物理过程的理论模式。在这种理论分析模式中,将电子和离子的流动情况随时间的演变过程分成非箍缩电子流、弱箍缩电子流、强箍缩电子流3个不同的阶段,分别结合聚焦流和顺位流模型对各个阶段特性进行估算。利用KARAT PIC数值模拟软件并结合“强光一号”加速器的工作状态,对该类型二极管中电子束的流动过程作了数值模拟,并在“强光一号”加速器上开展了实验研究。数值模拟和实验结果的对比表明,所提出的新的理论分析模式是合理可行的 。
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-12-15

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