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合肥电子储存环上新旧高频腔的尾场及耦合阻抗的计算

徐宏亮 王琳 刘金英 孙葆根 李为民 何多慧

徐宏亮, 王琳, 刘金英, 等. 合肥电子储存环上新旧高频腔的尾场及耦合阻抗的计算[J]. 强激光与粒子束, 2003, 15(02).
引用本文: 徐宏亮, 王琳, 刘金英, 等. 合肥电子储存环上新旧高频腔的尾场及耦合阻抗的计算[J]. 强激光与粒子束, 2003, 15(02).
xu hong-liang, wang lin, sun bao-gen, et al. Calculation of wake field and couple impedance of upgraded and old RF cavity in Hefei electron storage ring[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2003, 15.
Citation: xu hong-liang, wang lin, sun bao-gen, et al. Calculation of wake field and couple impedance of upgraded and old RF cavity in Hefei electron storage ring[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2003, 15.

合肥电子储存环上新旧高频腔的尾场及耦合阻抗的计算

Calculation of wake field and couple impedance of upgraded and old RF cavity in Hefei electron storage ring

  • 摘要: 合肥800MeV电子储存环的二期升级工程正在进行,其中高频腔的改造和加工将要完成,由于原有高频腔存在较多不合理因数,将要被新腔所替换。为了充分估计在将来运行时,高频腔的耦合阻抗对储存高流强的影响,需要对新旧高频腔宽带耦合阻抗进行比较计算。用电磁场计算软件MAFIA对高频腔的耦合阻抗及电子束在此结构中产生的尾场进行了计算,结果说明旧高频腔的耦合阻抗比新高频腔小。
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出版历程
  • 刊出日期:  2003-02-15

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