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大功率GaAs光导开关寿命实验研究

刘宏伟 袁建强 刘金锋 李洪涛 谢卫平 江伟华

刘宏伟, 袁建强, 刘金锋, 等. 大功率GaAs光导开关寿命实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(04).
引用本文: 刘宏伟, 袁建强, 刘金锋, 等. 大功率GaAs光导开关寿命实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(04).
liu hongwei, yuan jianqiang, liu jinfeng, et al. Experimental investigation on lifetime of high power GaAs photoconductive semiconductor switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.
Citation: liu hongwei, yuan jianqiang, liu jinfeng, et al. Experimental investigation on lifetime of high power GaAs photoconductive semiconductor switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.

大功率GaAs光导开关寿命实验研究

Experimental investigation on lifetime of high power GaAs photoconductive semiconductor switch

  • 摘要: 设计并制作了18 mm间隙的半绝缘GaAs光导开关,开关芯片采用标准半导体工艺制作并封装在陶瓷基板上。测试了光导开关在20 kV工作电压、1 kA工作电流时,不同重复频率工作的开关寿命,结果表明,开关寿命4 000次~7 000次,且随着重复频率的提高,开关寿命有所降低。初步分析了导致开关失效的原因为热损伤,包括局部发热导致的连接损伤和材料损伤以及整体发热导致的暗态电阻下降。
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  • 刊出日期:  2010-03-25

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