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基于Marangoni界面效应的数控化学抛光去除函数的研究

侯晶 许乔 雷向阳 周礼书 张清华 王健

侯晶, 许乔, 雷向阳, 等. 基于Marangoni界面效应的数控化学抛光去除函数的研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(04).
引用本文: 侯晶, 许乔, 雷向阳, 等. 基于Marangoni界面效应的数控化学抛光去除函数的研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(04).
hou jing, xu qiao, lei xiang-yang, et al. Removal function of computerized numerical controlled chemical polishing based on the Marangoni interface effect[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.
Citation: hou jing, xu qiao, lei xiang-yang, et al. Removal function of computerized numerical controlled chemical polishing based on the Marangoni interface effect[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.

基于Marangoni界面效应的数控化学抛光去除函数的研究

Removal function of computerized numerical controlled chemical polishing based on the Marangoni interface effect

  • 摘要: 利用基于Marangoni界面效应对化学抛光去除函数的理论及实验进行研究,提出采用湿法化学抛光(刻蚀)方法为大口径高精度光学元件的加工提供新的解决途径。介绍了Marangoni界面效应及其验证实验,运用WYKO轮廓仪对熔石英基片局域刻蚀前后的粗糙度进行检测,结果表明,粗糙度基本无变化,刻蚀前后粗糙度分别为0.72 nm和0.71 nm。基于Preston假设, 建立了数控化学抛光理论模型,运用WYKO干涉仪观察实验现象可知,化学抛光刻蚀曲线基本上成平底陡峭的去除函数曲线,小磨头抛光是倒置的仿高斯函数曲线。
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-04-15

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