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脉冲激光作用单晶硅的等离子体光谱分析

刘丽炜 曲璐 谭勇 张喜和

刘丽炜, 曲璐, 谭勇, 等. 脉冲激光作用单晶硅的等离子体光谱分析[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(08).
引用本文: 刘丽炜, 曲璐, 谭勇, 等. 脉冲激光作用单晶硅的等离子体光谱分析[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(08).
liu liwei, qu lu, tan yong, et al. Plasma spectrum analysis of monocrystalline silicon irradiated by pulsed laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.
Citation: liu liwei, qu lu, tan yong, et al. Plasma spectrum analysis of monocrystalline silicon irradiated by pulsed laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.

脉冲激光作用单晶硅的等离子体光谱分析

Plasma spectrum analysis of monocrystalline silicon irradiated by pulsed laser

  • 摘要: 从激光与物质相互作用理论出发,对脉冲激光作用单晶硅的热特性进行分析。建立一套实验装置,所用激光光源的波长为1 064 nm,脉宽为10 ns,重复频率为1 Hz。得到单晶硅的等离子体谱及热辐射谱,在单晶硅的光电性质基础上对其热表面损伤进行理论分析。提取380~460 nm波段的单晶硅等离子体光谱,分析了谱图中SiⅠ390.52 nm, SiⅡ385.51 nm,SiⅡ413.12 nm三条谱线的相对强度与激光输出功率密度的对应关系。
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-07-12

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