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外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的影响

王英龙 罗青山 邓泽超 褚立志 丁学成 梁伟华 陈超 傅广生

王英龙, 罗青山, 邓泽超, 等. 外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的影响[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(09).
引用本文: 王英龙, 罗青山, 邓泽超, 等. 外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的影响[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(09).
wang yinglong, luo qingshan, deng zechao, et al. Influence of additional gas flow on size distribution of Si nanoparticles deposited by pulsed laser ablation[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.
Citation: wang yinglong, luo qingshan, deng zechao, et al. Influence of additional gas flow on size distribution of Si nanoparticles deposited by pulsed laser ablation[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.

外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的影响

Influence of additional gas flow on size distribution of Si nanoparticles deposited by pulsed laser ablation

  • 摘要: 提出一种控制脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的新方法。在10 Pa的Ar环境中,采用脉冲激光烧蚀高阻抗单晶硅靶沉积制备了纳米Si晶薄膜。在羽辉正上方2.0 cm,距靶0.3~3.0 cm范围内的不同位置引入氩气流,在烧蚀点正下方2.0 cm处水平放置单晶Si(111)衬底来收集制备的纳米Si晶粒。利用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,并对衬底不同位置上纳米Si晶粒进行统计。结果表明:在不引入气流时,晶粒的尺寸随靶衬间距的增加先增大后减小,晶粒尺寸峰值出现在距靶1.7 cm处;引入气流后,晶粒尺寸分布发生变化,在距靶1.7 cm引入气流时晶粒尺寸峰值最大,在距靶3.0 cm引入气流时晶粒尺寸峰值最小,且出现晶粒尺寸峰值的位置随着引入气流位置的增加而增大。
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  • 刊出日期:  2010-08-17

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