留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

静态单粒子翻转截面的获取及分类

姚志斌 范如玉 郭红霞 王忠明 何宝平 张凤祁 张科营

姚志斌, 范如玉, 郭红霞, 等. 静态单粒子翻转截面的获取及分类[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(03).
引用本文: 姚志斌, 范如玉, 郭红霞, 等. 静态单粒子翻转截面的获取及分类[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(03).
yao zhibin, fan ruyu, guo hongxia, et al. Acquisition and classification of static single-event upset cross section for SRAM-based FPGAs[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.
Citation: yao zhibin, fan ruyu, guo hongxia, et al. Acquisition and classification of static single-event upset cross section for SRAM-based FPGAs[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.

静态单粒子翻转截面的获取及分类

Acquisition and classification of static single-event upset cross section for SRAM-based FPGAs

  • 摘要: 为了评估静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件的单粒子效应,寻求单粒子翻转敏感部位,以XCV300PQ240为实验样品,利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面,并根据配置存储单元用途的不同,对翻转数据进行了分类。结果表明:SRAM型FPGA的内部存储单元对单粒子翻转效应十分敏感;配置存储器翻转主要由查找表(LUT)及互连线资控制位造成,这两者的翻转占总翻转数的97.46%;配置存储器中各类资源的单粒子翻转(SEU)敏感性并不一致,输入输出端口(IOB)控制位和LUT的单粒子翻转的敏感性远高于其它几类资源,但LUT在配置存储器中占有很大比例,在加固时应予以重点考虑。
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  3354
  • HTML全文浏览量:  332
  • PDF下载量:  759
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 刊出日期:  2011-03-15

目录

    /

    返回文章
    返回