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强辐射源用铜纳米线阵列靶的结构与性能

牛高 谭秀兰 韩尚君 李恺 李佳 黄文忠 罗江山

牛高, 谭秀兰, 韩尚君, 等. 强辐射源用铜纳米线阵列靶的结构与性能[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(03).
引用本文: 牛高, 谭秀兰, 韩尚君, 等. 强辐射源用铜纳米线阵列靶的结构与性能[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(03).
niu gao, tan xiulan, han shangjun, et al. Structure and performance of Cu nanowire array target for intense radiation source[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.
Citation: niu gao, tan xiulan, han shangjun, et al. Structure and performance of Cu nanowire array target for intense radiation source[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.

强辐射源用铜纳米线阵列靶的结构与性能

Structure and performance of Cu nanowire array target for intense radiation source

  • 摘要: 采用多孔阳极氧化铝(AAO)模板脉冲电沉积法制备了强辐射源用铜纳米线阵列靶,并用扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDS)和X射线衍射(XRD)对其进行了结构表征。结果表明:去除AAO模板后铜纳米线平均直径比去除AAO模板前的平均孔径大32%,长度缩短5%。对电沉积2 000 s的样品进行铜纳米线长度分布表征,结果显示:距离模板圆心越远,铜纳米线越长。与超短脉冲激光相互作用实验结果表明:纳米线平均长度在18~50 μm范围内,铜Kα光子产额先随纳米线长度增加而增加,当长度大于33 μm时,铜Kα光子产额开始下降。
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  • 刊出日期:  2011-03-15

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