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光电耦合器的反应堆中子辐射效应

黄绍艳 刘敏波 唐本奇 肖志刚 王祖军 张勇

黄绍艳, 刘敏波, 唐本奇, 等. 光电耦合器的反应堆中子辐射效应[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(03).
引用本文: 黄绍艳, 刘敏波, 唐本奇, 等. 光电耦合器的反应堆中子辐射效应[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(03).
huang shaoyan, liu minbo, tang benqi, et al. Effect of reactor neutron irradiation on optocouplers[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.
Citation: huang shaoyan, liu minbo, tang benqi, et al. Effect of reactor neutron irradiation on optocouplers[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.

光电耦合器的反应堆中子辐射效应

Effect of reactor neutron irradiation on optocouplers

  • 摘要: 选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011~5×1012cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高。发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体管的光电耦合器的初始电流传输比要小,但其抗位移损伤能力更强。探测器均为Si NPN光敏晶体管,发光器件为异质结LED要比硅两性掺杂LED的光电耦合器的电流传输比抗位移损伤能力提高2个量级;以光敏晶体管为探测器的光电耦合器,在较大的正向电流和输出负载电阻条件下工作可提高抗辐射水平。此外,光电耦合器的位移损伤存在加电退火效应。
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  • 刊出日期:  2011-03-15

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