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磁控溅射制备的W,WSi2, Si单层膜和W/Si,WSi2/Si多层膜应力

黄秋实 李浩川 朱京涛 王晓强 蒋励 王占山 唐永建

黄秋实, 李浩川, 朱京涛, 等. 磁控溅射制备的W,WSi2, Si单层膜和W/Si,WSi2/Si多层膜应力[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(06).
引用本文: 黄秋实, 李浩川, 朱京涛, 等. 磁控溅射制备的W,WSi2, Si单层膜和W/Si,WSi2/Si多层膜应力[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(06).
huang qiushi, li haochuan, zhu jingtao, et al. Stress analysis of W, WSi2, Si single layers and W/Si, WSi2/Si ultilayers fabricated by magnetron sputtering[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.
Citation: huang qiushi, li haochuan, zhu jingtao, et al. Stress analysis of W, WSi2, Si single layers and W/Si, WSi2/Si ultilayers fabricated by magnetron sputtering[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.

磁控溅射制备的W,WSi2, Si单层膜和W/Si,WSi2/Si多层膜应力

Stress analysis of W, WSi2, Si single layers and W/Si, WSi2/Si ultilayers fabricated by magnetron sputtering

  • 摘要: 采用直流磁控溅射技术制备了厚度约100 nm的W,WSi2,Si单层膜和周期约为20 nm,Si膜层厚度与周期的比值为0.5的W/Si,WSi2/Si周期多层膜。利用台阶仪对镀膜前后基底表面的面形进行了测试,计算并比较了不同膜系的应力值。结果表明:W单层膜表现出较大的压应力,而W/Si周期膜则表现为张应力。WSi2单层膜和WSi2/Si周期多层膜均表现为压应力,没有应力突变,应力特性最为稳定。因此,WSi2/Si材料组合是研制大膜对数X射线多层膜较好的材料组合。
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  • 刊出日期:  2011-06-28

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