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闪光照相中MeV级网栅的设计

刘军 刘进 管永红 景越峰

刘军, 刘进, 管永红, 等. 闪光照相中MeV级网栅的设计[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(08).
引用本文: 刘军, 刘进, 管永红, 等. 闪光照相中MeV级网栅的设计[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(08).
liu jun, liu jin, guan yonghong, et al. Design of MeV anti-scatter grid in flash radiography[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.
Citation: liu jun, liu jin, guan yonghong, et al. Design of MeV anti-scatter grid in flash radiography[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.

闪光照相中MeV级网栅的设计

Design of MeV anti-scatter grid in flash radiography

  • 摘要: 通过理论分析,确定了MeV级多孔网栅的设计目标、拟采用的照相布局及图像接收系统。在此基础上,通过蒙特卡罗模拟和理论分析,确定了网栅的主要参数,包括网栅厚度、孔径与孔间距和W薄片厚度,并研究了加工误差和非理想照相因素对网栅性能的影响,最后给出了原理样机的设计参数。针对原理样机开展了数值模拟,利用模拟图像进行了网栅图像修补与插值等图像预处理工作,初步验证了原理样机在实际应用中的可行性。
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  • 刊出日期:  2011-09-13

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