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托卡马克等离子体电流爬升阶段逃逸电子行为

卢洪伟 胡立群 林士耀 周瑞杰 罗家融 钟方川

卢洪伟, 胡立群, 林士耀, 等. 托卡马克等离子体电流爬升阶段逃逸电子行为[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(08).
引用本文: 卢洪伟, 胡立群, 林士耀, 等. 托卡马克等离子体电流爬升阶段逃逸电子行为[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(08).
lu hongwei, hu liqun, lin shiyao, et al. Runaway electron behaviors in current ramp-up phase in Tokamak[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.
Citation: lu hongwei, hu liqun, lin shiyao, et al. Runaway electron behaviors in current ramp-up phase in Tokamak[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.

托卡马克等离子体电流爬升阶段逃逸电子行为

Runaway electron behaviors in current ramp-up phase in Tokamak

  • 摘要: 分析了电流爬升阶段等离子体密度和电流爬升率对逃逸电子行为的影响,研究了低杂波辅助电流驱动条件下的逃逸电子辐射行为。结果发现:电流爬升阶段等离子体密度的大小严重影响了电流爬升阶段甚至电流平顶阶段逃逸电子的行为,较低的等离子体密度将会导致放电过程中比较强的逃逸电子辐射;低能逃逸电子辐射随着电流爬升率的增大而增强;低杂波辅助电流爬升可以有效地节约装置的伏秒数;降低放电过程中的环电压,可有效抑制逃逸电子的产生。
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  • 刊出日期:  2011-09-13

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