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二极管波过程理论分析

霍少飞 陈昌华 孙钧 宋志敏 宋玮 肖仁珍

霍少飞, 陈昌华, 孙钧, 等. 二极管波过程理论分析[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(11).
引用本文: 霍少飞, 陈昌华, 孙钧, 等. 二极管波过程理论分析[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(11).
huo shaofei, chen changhua, sun jun, et al. Theoretical analysis of diode wave process[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.
Citation: huo shaofei, chen changhua, sun jun, et al. Theoretical analysis of diode wave process[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.

二极管波过程理论分析

Theoretical analysis of diode wave process

  • 摘要: 理论分析了二极管磁绝缘传输线(MITL)区阻抗不连续和二极管阻抗随时间的变化对波过程的影响。结果表明:若MITL区电长度远小于入射波脉宽,则二极管前端测得的电压电流幅值反映了阴极处电压、电流,电压与电流的比值由二极管阻抗确定;为加快阴极处电压、电流前沿,MITL区各段传输线沿波的传输方向可采用阻抗渐增的方式,且取中间元件的阻抗为其两端元件阻抗的均方根;测点电压、电流前沿在时间上可分为传输、全反射和束流形成阶段;梯形电压波入射下,测点波形前沿全反射阶段电压较传输阶段增长速度倍增,电流为一段平台;实际电压波入射下,测点电压波形前沿为一条不断增长的曲线,电流波形前沿存在振荡。
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-11-29

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