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CMOS反相器的电磁干扰频率效应

陈杰 杜正伟

陈杰, 杜正伟. CMOS反相器的电磁干扰频率效应[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 147-151.
引用本文: 陈杰, 杜正伟. CMOS反相器的电磁干扰频率效应[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 147-151.
Chen Jie, Du Zhengwei. Effect of electromagnetic interference frequency on CMOS inverters[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 147-151.
Citation: Chen Jie, Du Zhengwei. Effect of electromagnetic interference frequency on CMOS inverters[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 147-151.

CMOS反相器的电磁干扰频率效应

Effect of electromagnetic interference frequency on CMOS inverters

  • 摘要: 利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了CMOS反相器在1 MHz~20 GHz电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明:低频电磁干扰通过控制CMOS反相器中MOS管的导通、截止影响CMOS反相器的正常工作;高频电磁干扰通过MOS管中的本征电容耦合到输出端,干扰CMOS反相器的工作状态;CMOS反相器对于电磁干扰的敏感度随着干扰频率上升而不断降低。
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  • 刊出日期:  2012-01-15

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