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单晶YSZ的Xe+辐照损伤的电子显微分析

向霞 祖小涛 吴继红 朱莎 王鲁闵

向霞, 祖小涛, 吴继红, 等. 单晶YSZ的Xe+辐照损伤的电子显微分析[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(01).
引用本文: 向霞, 祖小涛, 吴继红, 等. 单晶YSZ的Xe+辐照损伤的电子显微分析[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(01).
xiang xia, zu xiao-tao, wu ji-hong, et al. TEM analysis on irradiation damage of xenon-implanted yttria-stabilized zirconia single crystals[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.
Citation: xiang xia, zu xiao-tao, wu ji-hong, et al. TEM analysis on irradiation damage of xenon-implanted yttria-stabilized zirconia single crystals[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.

单晶YSZ的Xe+辐照损伤的电子显微分析

TEM analysis on irradiation damage of xenon-implanted yttria-stabilized zirconia single crystals

  • 摘要: 不同注量200keV Xe+ 注入YSZ单晶样品的电子显微分析结果表明,随着辐照注量的增加,缺陷簇的密度增大,在1×1015~1×1016cm-2Xe+注量,缺陷簇密度迅速增大,形成间隙型位错环;当Xe+注量增大到1×1017cm-2,缺陷簇密度的增加变得缓慢,并且有直径为2~4nm的Xe气泡析出。选区电子衍射花样表明YSZ样品没有产生非晶化转变。在Xe+辐照的离位率高达约350dpa的情况下,YSZ晶体没有非晶化,其原因主要是由于注入的Xe+以气泡形式析出。
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-01-15

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