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19.6nm波长类氖锗X光激光光源理论模拟

张国平 张覃鑫 郑无敌

张国平, 张覃鑫, 郑无敌. 19.6nm波长类氖锗X光激光光源理论模拟[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(02).
引用本文: 张国平, 张覃鑫, 郑无敌. 19.6nm波长类氖锗X光激光光源理论模拟[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(02).
zhang guo ping, zhang tan xin, zheng wu di. Theoretical designs of 19.6nm Nelike Ge XRL source[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.
Citation: zhang guo ping, zhang tan xin, zheng wu di. Theoretical designs of 19.6nm Nelike Ge XRL source[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.

19.6nm波长类氖锗X光激光光源理论模拟

Theoretical designs of 19.6nm Nelike Ge XRL source

  • 摘要: 波长19.6nm的类氖锗X光激光适合作为诊断激光等离子体界面不稳定性的光源。用经过实验检验的系列程序对预-主短脉冲驱动类氖锗进行了系统的优化设计和理论分析。采用2%~3%的预脉冲强度,6~8ns的预-主脉冲时间间隔,在4×1013W/cm2功率密度驱动下, 波长19.6nm增益区的宽度可以超过60μm,增益区的维持时间可以达到90ps。对于16mm长的平板靶,增益系数可达11.8/cm;弯曲靶增益系数可达13.3/cm;单靶小增益长度积可达21.3,单靶就可以获得饱和增益。采用双靶对接,其小讯号增益可达38.4,可以获得深度饱和增益,能满足应用演示所需的X光激光光源。
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  • 刊出日期:  2004-02-15

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