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采用空心阴极放电等离子体化学气相沉积方法制备a-CH薄膜

陈志梅 吴卫东 唐永建 许华 唐晓虹 李常明

陈志梅, 吴卫东, 唐永建, 等. 采用空心阴极放电等离子体化学气相沉积方法制备a-CH薄膜[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(05).
引用本文: 陈志梅, 吴卫东, 唐永建, 等. 采用空心阴极放电等离子体化学气相沉积方法制备a-CH薄膜[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(05).
chen zhi-mei, wu wei-dong, tang yong-jian, et al. Production of a-CH films by hollow cathode discharge plasma chemical vapor deposition[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.
Citation: chen zhi-mei, wu wei-dong, tang yong-jian, et al. Production of a-CH films by hollow cathode discharge plasma chemical vapor deposition[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.

采用空心阴极放电等离子体化学气相沉积方法制备a-CH薄膜

Production of a-CH films by hollow cathode discharge plasma chemical vapor deposition

  • 摘要: 研究了不同衬底-阴极距离、直流电压和H2流量对a-CH薄膜沉积速率的影响。结果表明:衬底-阴极距离必须大于0.5cm,随着该距离的增加,薄膜的沉积速率减少;直流电压达550V时沉积速率最大;随着H2含量的增加,CH4含量相对减少,沉积速率随之降低。用AFM观察了以该方法制得的448.4nm CH薄膜的表面形貌,表面粗糙度约为10nm。最后测出了不同条件下CH薄膜的UV-VIS谱,由此可以计算得到薄膜的禁带宽度及折射率。
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-05-15

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