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神光II装置辐射驱动内爆对称性的研究

曾先才 功振国 陈辅之 常铁强

曾先才, 功振国, 陈辅之, 等. 神光II装置辐射驱动内爆对称性的研究[J]. 强激光与粒子束, 1998, 10(02).
引用本文: 曾先才, 功振国, 陈辅之, 等. 神光II装置辐射驱动内爆对称性的研究[J]. 强激光与粒子束, 1998, 10(02).
zeng xiancai, miao zhenguo, chen fuzhi, et al. Improvement of Asymmetry of RadiationDriven Imposion on ShenguangⅡ facility[J]. High Power Laser and Particle Beams, 1998, 10.
Citation: zeng xiancai, miao zhenguo, chen fuzhi, et al. Improvement of Asymmetry of RadiationDriven Imposion on ShenguangⅡ facility[J]. High Power Laser and Particle Beams, 1998, 10.

神光II装置辐射驱动内爆对称性的研究

Improvement of Asymmetry of RadiationDriven Imposion on ShenguangⅡ facility

  • 摘要: 对神光II条件下辐射驱动内爆的不对称性进行了二维数值模拟。模拟结果表明,靶妨内爆的不对称性对辐射温度的不均匀性非常敏感,DT平均压缩度则对其不敏感。同时,内爆不对称性对中子产额和内爆效率有一定的影响。辐射驱动内爆的不对称性可以利用辐射温度源的时间调制得到明显的改善。
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  • 刊出日期:  1998-05-15

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