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退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究

王圣来,  王波,  张光辉,  牛爱芹,  尹鑫,  高樟寿,  房昌水,  孙洵,  李义平

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王圣来, 王波, 张光辉, 等. 退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(04).
引用本文: 王圣来, 王波, 张光辉, 等. 退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(04).
shu
wang sheng lai, wang bo, zhang guang hui, et al. Study on improvement of the homogeneity of KDP crystals by annealing[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.
Citation: wang sheng lai, wang bo, zhang guang hui, et al. Study on improvement of the homogeneity of KDP crystals by annealing[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.
shu

退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究

  • 1.

    山东大学 晶体材料国家重点实验室,山东 济南 2501 00;

  • 2.

    山东轻工业学院,山东 济南 2501 00

Study on improvement of the homogeneity of KDP crystals by annealing

  • 1.

    State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong University,Jinan 250100,China;

  • 2.

    Shandong Institute of Light Industry,Jinan 250100,China

    摘要
  • 摘要: 研究了磷酸二氢钾（KDP）晶体热退火前后光学均匀性的变化，发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力，提高晶体的消光比，从而提高晶体的光学均匀性。实验证明，50℃下退火即可消除部分内应力，110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高（如170℃）,也可能使晶体的均匀性降低。
    Abstract: Potassium dihydrogen phosphate (KDP) crystals were baked at varied temperatures in the same procedure. Three kinds of interference techniques were used to investigate stressinduced birefringence in KDP crystals. It was found that the annealing temperature greatly affects the improvement of the homogeneity of KDP crystal. Obvious improvement of homogeneity of KDP crystal was found after annealing at 50℃. With the rise of the annealing temperature, the extinction ratio increased. Growth ghost disappeared after annealing at 110℃. The extinction ratio decreased when the crystals were annealed at very high temperature, such as 170℃.
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  • 刊出日期:  2004-04-15

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