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短脉冲高剂量率γ射线源技术研究

蒯斌 邱爱慈 曾正中 丛培天 王亮平 梁天学

蒯斌, 邱爱慈, 曾正中, 等. 短脉冲高剂量率γ射线源技术研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(04).
引用本文: 蒯斌, 邱爱慈, 曾正中, 等. 短脉冲高剂量率γ射线源技术研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(04).
kuai bin, qiu ai-ci, zeng zheng-zhong, et al. Research on source of high dose rate gamma-ray with short pulse duration[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.
Citation: kuai bin, qiu ai-ci, zeng zheng-zhong, et al. Research on source of high dose rate gamma-ray with short pulse duration[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.

短脉冲高剂量率γ射线源技术研究

Research on source of high dose rate gamma-ray with short pulse duration

  • 摘要: 介绍了“强光一号”加速器产生宽度约20 ns的高剂量率脉冲γ射线的工作过程;分析了短脉冲γ射线源二极管的管绝缘体和真空磁绝缘传输线的结构与绝缘性能;说明了等离子体断路开关的工作特性;阐述了二极管工作阻抗和阴阳极的设计原则与设计参数。给出了不同短脉冲γ射线源的实验结果,得到了3种辐射参数:脉冲宽度约20 ns,辐射面积为2,30和100 cm2时,相应的辐射剂量率为1011,0.7×1011和1010 Gy/s。
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-04-15

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