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强流电子束二极管陶瓷真空界面

荀涛 杨汉武 张建德

荀涛, 杨汉武, 张建德. 强流电子束二极管陶瓷真空界面[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 045028. doi: 10.11884/HPLPB201426.045028
引用本文: 荀涛, 杨汉武, 张建德. 强流电子束二极管陶瓷真空界面[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 045028. doi: 10.11884/HPLPB201426.045028
Xun Tao, Yang Hanwu, Zhang Jiande. High electric field ceramic-vacuum interface for high-current electron beam diodes[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 045028. doi: 10.11884/HPLPB201426.045028
Citation: Xun Tao, Yang Hanwu, Zhang Jiande. High electric field ceramic-vacuum interface for high-current electron beam diodes[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 045028. doi: 10.11884/HPLPB201426.045028

强流电子束二极管陶瓷真空界面

doi: 10.11884/HPLPB201426.045028

High electric field ceramic-vacuum interface for high-current electron beam diodes

  • 摘要: 从绝缘和机械强度两方面优化设计了一种应用于强流电子束二极管的陶瓷真空界面。首先,依据真空沿面闪络机理及其影响因素,针对外径220 mm的陶瓷板,应用ANSYS静电场模拟,通过对阴极电极形状和阳极外壳尺寸的调整,使得陶瓷沿面电场和阴、阳极三结合点场强均得到了有效控制。模拟结果显示:陶瓷沿面电场分布均匀,阴、阳极三结合点场强小于30 kV/cm,电场线与陶瓷表面所成角度基本保持在45;其次,针对陶瓷与电极的约束结构,通过静力和瞬态冲击分析,确定了该陶瓷界面可承受的最大静压和冲击波最大峰压分别为4.8 MPa和60 MPa;最后,在脉宽200 ns的脉冲功率驱动源上进行了实验研究,陶瓷真空界面平均绝缘场强达到44 kV/cm,二极管运行稳定,机械性能可靠,实验结果与理论设计相符。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-11-22
  • 修回日期:  2013-12-12
  • 刊出日期:  2014-03-28

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