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不同微槽结构绝缘子真空沿面闪络特性

李逢 王勐 任靖 方东凡 康军军 徐乐 杨尊

李逢, 王勐, 任靖, 等. 不同微槽结构绝缘子真空沿面闪络特性[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 045049. doi: 10.11884/HPLPB201426.045049
引用本文: 李逢, 王勐, 任靖, 等. 不同微槽结构绝缘子真空沿面闪络特性[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 045049. doi: 10.11884/HPLPB201426.045049
Li Feng, Wang Meng, Ren Jing, et al. Characteristics of grooved insulator flashover under pulsed voltage[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 045049. doi: 10.11884/HPLPB201426.045049
Citation: Li Feng, Wang Meng, Ren Jing, et al. Characteristics of grooved insulator flashover under pulsed voltage[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 045049. doi: 10.11884/HPLPB201426.045049

不同微槽结构绝缘子真空沿面闪络特性

doi: 10.11884/HPLPB201426.045049
详细信息
    通讯作者:

    李逢

Characteristics of grooved insulator flashover under pulsed voltage

  • 摘要: 针对单极性脉冲电压下不同微槽结构绝缘子真空沿面闪络特性开展实验研究。根据二次电子运动特性, 设计了多种微槽宽度, 对比了微槽结构和平面结构的绝缘子耐压特性差异。槽宽为1 mm的微槽样品耐压水平与平面结构样品耐压水平相当, 槽宽小于1 mm的样品组耐压水平均高于平面结构样品, 最高电压提高倍数约为1.4, 说明一定尺寸范围内的微槽设计将提高绝缘子真空耐压水平。通过电场强度计算分析微槽结构对二次电子运动的影响过程可知, 较大的微槽宽度可使电子限制在槽内运动, 较小的微槽宽度将抑制初始电子的发展, 最终二者都能达到抑制闪络的目的。通过显微镜观测各组样品表面特征, 材料表面微观缺陷将可能降低材料耐压水平。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-04
  • 修回日期:  2014-02-27
  • 刊出日期:  2014-03-28

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