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多级PIN限幅器高功率微波效应研究

胡凯 李天明 汪海洋 周翼鸿

胡凯, 李天明, 汪海洋, 等. 多级PIN限幅器高功率微波效应研究[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 063015. doi: 10.11884/HPLPB201426.063015
引用本文: 胡凯, 李天明, 汪海洋, 等. 多级PIN限幅器高功率微波效应研究[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 063015. doi: 10.11884/HPLPB201426.063015
Hu Kai, Li Tianming, Wang Haiyang, et al. High power microwave effect of multi-stage PIN[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 063015. doi: 10.11884/HPLPB201426.063015
Citation: Hu Kai, Li Tianming, Wang Haiyang, et al. High power microwave effect of multi-stage PIN[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 063015. doi: 10.11884/HPLPB201426.063015

多级PIN限幅器高功率微波效应研究

doi: 10.11884/HPLPB201426.063015

High power microwave effect of multi-stage PIN

  • 摘要: 基于PIN二极管电热自洽耦合模型,构建了两级PIN限幅器高功率微波(HPM)效应电路模型。根据模拟模型设计加工了两级限幅器实验样品,限幅器输入、输出特性注入实验数据与模拟计算结果基本一致,验证了多级限幅器模型的有效性,表明该多级PIN限幅器模型能够应用于HPM效应模拟。针对不同HPM波形参数进行了HPM效应模拟,计算结果表明:随着注入功率的增大,脉宽增宽,前级厚I层PIN二极管结温升比后级薄I层PIN二极管结温升要高,因此厚I层PIN二极管更易受到损伤;而频率和前沿参数对结温升影响较小。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-11-15
  • 修回日期:  2014-01-30
  • 刊出日期:  2014-05-15

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