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半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律

王古森 王洪广 戚玉佳 李永东

王古森, 王洪广, 戚玉佳, 等. 半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 063021. doi: 10.11884/HPLPB201426.063021
引用本文: 王古森, 王洪广, 戚玉佳, 等. 半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 063021. doi: 10.11884/HPLPB201426.063021
Wang Gusen, Wang Hongguang, Qi Yujia, et al. Influences of key parameters on width of output pulses by semiconductor opening switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 063021. doi: 10.11884/HPLPB201426.063021
Citation: Wang Gusen, Wang Hongguang, Qi Yujia, et al. Influences of key parameters on width of output pulses by semiconductor opening switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 063021. doi: 10.11884/HPLPB201426.063021

半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律

doi: 10.11884/HPLPB201426.063021
详细信息
    通讯作者:

    王洪广

Influences of key parameters on width of output pulses by semiconductor opening switch

  • 摘要: 采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N+区扩散深度、有效横截面积、外电路参数等。模拟结果表明:随着N+区扩散深度、有效横截面积的增加和外电路电阻的增大,输出脉冲的宽度减小。通过参数优化,获得了脉宽约为4 ns的输出脉冲。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-11-18
  • 修回日期:  2014-03-14
  • 刊出日期:  2014-05-15

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