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光导开关非线性导通时的载流子累加效应

孙艳玲 刘小龙 刘欢 石顺祥

孙艳玲, 刘小龙, 刘欢, 等. 光导开关非线性导通时的载流子累加效应[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 075002. doi: 10.11884/HPLPB201426.075002
引用本文: 孙艳玲, 刘小龙, 刘欢, 等. 光导开关非线性导通时的载流子累加效应[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 075002. doi: 10.11884/HPLPB201426.075002
Sun Yanling, Liu Xiaolong, Liu Huan, et al. Carrier accumulation effect of nonlinear photoconductive semiconductor switches[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 075002. doi: 10.11884/HPLPB201426.075002
Citation: Sun Yanling, Liu Xiaolong, Liu Huan, et al. Carrier accumulation effect of nonlinear photoconductive semiconductor switches[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 075002. doi: 10.11884/HPLPB201426.075002

光导开关非线性导通时的载流子累加效应

doi: 10.11884/HPLPB201426.075002
详细信息
    通讯作者:

    孙艳玲

Carrier accumulation effect of nonlinear photoconductive semiconductor switches

  • 摘要: 利用半导体激光器作为触发源,对砷化镓光导开关进行了实验研究,重点研究了载流子累加效应对开关输出特性的影响。实验结果表明,光导开关的导通机制与内部载流子数的多少直接相关,当开关中的载流子数积累到雪崩碰撞电离条件,开关就会发生非线性导通。采用低能量光脉冲序列触发光导开关,获得了高功率输出,降低了开关非线性导通时的触发光能和偏置电压,对于光导开关的应用具有重要意义。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-11-21
  • 修回日期:  2014-03-07
  • 刊出日期:  2014-06-10

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