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电容式射频微机电系统开关损耗机制

李沐华 赵嘉昊 尤政

李沐华, 赵嘉昊, 尤政. 电容式射频微机电系统开关损耗机制[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 024132. doi: 10.11884/HPLPB201527.024132
引用本文: 李沐华, 赵嘉昊, 尤政. 电容式射频微机电系统开关损耗机制[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 024132. doi: 10.11884/HPLPB201527.024132
Li Muhua, Zhao Jiahao, You Zheng. Loss mechanisms of radio frequency micro-electro-mechanical systems capacitive switches[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 024132. doi: 10.11884/HPLPB201527.024132
Citation: Li Muhua, Zhao Jiahao, You Zheng. Loss mechanisms of radio frequency micro-electro-mechanical systems capacitive switches[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 024132. doi: 10.11884/HPLPB201527.024132

电容式射频微机电系统开关损耗机制

doi: 10.11884/HPLPB201527.024132
详细信息
    通讯作者:

    李沐华

Loss mechanisms of radio frequency micro-electro-mechanical systems capacitive switches

  • 摘要: 插入损耗是射频微机电系统 (RF MEMS) 开关的关键性能指标之一。电容式RF MEMS开关是一种适合高频应用的开关器件,对其损耗机制进行了研究。电容式RF MEMS开关的射频损耗主要包括四部分:信号线的导体损耗、衬底损耗、辐射损耗以及MEMS桥损耗。对电容式RF MEMS开关建立了损耗模型并进行了数值计算,同时在HFSS有限元软件中进行了电磁仿真,数值计算结果和有限元仿真结果较好的吻合。此外,对影响电容式RF MEMS开关插入损耗的因素进行了分析,结果表明,高阻抗的衬底、200 m左右的导体宽度、较小的导体厚度以及较小的up态电容能够降低开关的插入损耗,提高开关的射频性能。
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-10-22
  • 修回日期:  2014-11-12
  • 刊出日期:  2015-01-27

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