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砷化镓光阴极直流高压注入器研究进展

吴岱 肖德鑫 李凯 潘清 杨仁俊 张海旸 王建新 刘宇 柏伟 林司芬 王汉斌 杨兴繁 黎明 许州

吴岱, 肖德鑫, 李凯, 等. 砷化镓光阴极直流高压注入器研究进展[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 045101. doi: 10.11884/HPLPB201527.045101
引用本文: 吴岱, 肖德鑫, 李凯, 等. 砷化镓光阴极直流高压注入器研究进展[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 045101. doi: 10.11884/HPLPB201527.045101
Wu Dai, Xiao Dexin, Li Kai, et al. Recent progress of GaAs high-voltage DC photo-injector[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 045101. doi: 10.11884/HPLPB201527.045101
Citation: Wu Dai, Xiao Dexin, Li Kai, et al. Recent progress of GaAs high-voltage DC photo-injector[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 045101. doi: 10.11884/HPLPB201527.045101

砷化镓光阴极直流高压注入器研究进展

doi: 10.11884/HPLPB201527.045101
详细信息
    通讯作者:

    吴岱

Recent progress of GaAs high-voltage DC photo-injector

  • 摘要: 主要介绍自由电子激光相干强太赫兹源(FEL-THz)装置上的砷化镓光阴极直流高压注入器的研究进展,并讨论其驱动未来高重复频率短波长自由电子激光器的差距。通过综合砷化镓阴极寿命的三大影响因素,提出了其工作寿命的定性物理模型;通过该模型对阴极和注入器进行优化,在直流高压电子枪上得到了5 mA, 32 min的连续稳定输出;测量了电子束在4.8 mA下归一化发射度约为4.0 mmmrad,阴极热发射度约为0.6 mmmrad,电子束本征横向能量约为92 meV,250 keV电子束在距离阴极90.6 cm处纵向均方根长度约为11.5 ps。这一束流状态已经基本满足FEL-THz需求。
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-11-09
  • 修回日期:  2014-12-22
  • 刊出日期:  2015-03-23

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