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中子单粒子效应TCAD仿真

解磊 代刚 李顺 梁堃

解磊, 代刚, 李顺, 等. 中子单粒子效应TCAD仿真[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 084002. doi: 10.11884/HPLPB201527.084002
引用本文: 解磊, 代刚, 李顺, 等. 中子单粒子效应TCAD仿真[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 084002. doi: 10.11884/HPLPB201527.084002
Xie Lei, Dai Gang, Li Shun, et al. Analysis of single event effect induced by neutron with TCAD[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 084002. doi: 10.11884/HPLPB201527.084002
Citation: Xie Lei, Dai Gang, Li Shun, et al. Analysis of single event effect induced by neutron with TCAD[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 084002. doi: 10.11884/HPLPB201527.084002

中子单粒子效应TCAD仿真

doi: 10.11884/HPLPB201527.084002

Analysis of single event effect induced by neutron with TCAD

  • 摘要: 分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布。根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论了65 nm工艺尺寸下,半导体静态存储器的单粒子效应,并给出了TCAD仿真的结果。结果显示,商用6管单元难以避免中子单粒子效应的发生。双互锁存储单元(DICE)结构在高密度设计时,也由于电荷共享效应,发生了单粒子翻转。由于电荷共享效应难以用SPICE仿真的方法得到,TCAD仿真更适用于中子单粒子免疫的SRAM设计验证。最后,讨论了65 nm工艺下,中子单粒子免疫的SRAM设计,指出6管单元加电容的方式,可能是更有竞争力的方案。
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-04-13
  • 修回日期:  2015-06-01
  • 刊出日期:  2015-08-11

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