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低阻抗大面积二极管的研制

黄种亮 徐启福 来定国 杨实 杨莉 邱孟通 丛培天 任书庆 王强

黄种亮, 徐启福, 来定国, 等. 低阻抗大面积二极管的研制[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 014005. doi: 10.11884/HPLPB201628.014005
引用本文: 黄种亮, 徐启福, 来定国, 等. 低阻抗大面积二极管的研制[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 014005. doi: 10.11884/HPLPB201628.014005
Huang Zhongliang, Xu Qifu, Lai Dingguo, et al. A low impedance large surface diode[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 014005. doi: 10.11884/HPLPB201628.014005
Citation: Huang Zhongliang, Xu Qifu, Lai Dingguo, et al. A low impedance large surface diode[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 014005. doi: 10.11884/HPLPB201628.014005

低阻抗大面积二极管的研制

doi: 10.11884/HPLPB201628.014005
详细信息
    通讯作者:

    黄种亮

A low impedance large surface diode

  • 摘要: 采用高纯石墨环状阴极和有机玻璃绝缘子,研制了一套低阻抗大面积二极管系统。使用理论计算和数值模拟方法对二极管进行优化设计,在保证绝缘要求的同时,尽量优化二极管轴向长度和内外筒距离以减小二极管的回路电感。实验结果表明,优化后的二极管能在200 kV左右的电压上稳定工作,绝缘结构未发生击穿现象;实验中最高输出电压为213 kV,电流为221 kA,特性阻抗约为1 ,电流密度为8 kA/cm2,脉宽(FWHM)为50 ns。
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-09-17
  • 修回日期:  2015-11-11
  • 刊出日期:  2016-01-04

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