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基于半导体开关和LTD技术的高重频快沿高压脉冲源

郭帆 贾伟 谢霖燊 杨实 陈志强 汤俊萍 李俊娜 杨天

郭帆, 贾伟, 谢霖燊, 等. 基于半导体开关和LTD技术的高重频快沿高压脉冲源[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 055002. doi: 10.11884/HPLPB201628.055002
引用本文: 郭帆, 贾伟, 谢霖燊, 等. 基于半导体开关和LTD技术的高重频快沿高压脉冲源[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 055002. doi: 10.11884/HPLPB201628.055002
Guo Fan, Jia Wei, Xie Linshen, et al. High power high repetitive frequency generator based on MOSFET and LTD technology[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 055002. doi: 10.11884/HPLPB201628.055002
Citation: Guo Fan, Jia Wei, Xie Linshen, et al. High power high repetitive frequency generator based on MOSFET and LTD technology[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 055002. doi: 10.11884/HPLPB201628.055002

基于半导体开关和LTD技术的高重频快沿高压脉冲源

doi: 10.11884/HPLPB201628.055002

High power high repetitive frequency generator based on MOSFET and LTD technology

  • 摘要: 采用快开通功率MOSFET,通过优化驱动电路、磁芯参数以及耦合结构,设计了基于半导体开关和直线变压器驱动源(LTD)技术的高重频快沿高压脉冲源。该脉冲源由四级LTD串联而成,可实现单次脉冲和最高频率2 MHz脉冲串输出。脉冲最高幅值约2.3 kV,上升沿约7 ns,脉宽约90 ns,下降沿约20 ns,输出电压效率约95%。该脉冲源结构紧凑,输出脉冲稳定,实现了模块化设计,可作为重频电磁脉冲模拟源使用。
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-06-18
  • 修回日期:  2015-11-05
  • 刊出日期:  2016-05-15

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