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半导体器件多物理场计算中的热边界条件

王昊 石峰 朱红伟 陈星

王昊, 石峰, 朱红伟, 等. 半导体器件多物理场计算中的热边界条件[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 113202. doi: 10.11884/HPLPB201628.160129
引用本文: 王昊, 石峰, 朱红伟, 等. 半导体器件多物理场计算中的热边界条件[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 113202. doi: 10.11884/HPLPB201628.160129
Wang Hao, Shi Feng, Zhu Hongwei, et al. Thermal boundary conditions in multiphysics algorithm for semiconductor device simulation[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 113202. doi: 10.11884/HPLPB201628.160129
Citation: Wang Hao, Shi Feng, Zhu Hongwei, et al. Thermal boundary conditions in multiphysics algorithm for semiconductor device simulation[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 113202. doi: 10.11884/HPLPB201628.160129

半导体器件多物理场计算中的热边界条件

doi: 10.11884/HPLPB201628.160129

Thermal boundary conditions in multiphysics algorithm for semiconductor device simulation

  • 摘要: 基于半导体器件的物理模型,联立并求解由电磁场、半导体物理及热力学方程构成的多物理场方程组,实现半导体器件及电路的电磁效应计算。为了更加准确地仿真半导体器件的温度变化,深入研究了多物理场计算中的热边界条件。以肖特基二极管HSMS-282c为例,采用多物理场算法仿真并对比了器件在相同激励(幅值为2 V的阶跃脉冲)、不同边界条件下的温度变化情况。实际测量了器件在正向偏置下的表面温度,并于多物理场计算结果进行对比。结果表明,采用热对流边界可以准确仿真半导体器件的热效应。
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-05-05
  • 修回日期:  2016-06-16
  • 刊出日期:  2016-11-15

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