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基于MOSFET的纳秒级全固态脉冲源设计

李玺钦 吴红光 栾崇彪 肖金水 谢敏 李洪涛 马成刚

李玺钦, 吴红光, 栾崇彪, 等. 基于MOSFET的纳秒级全固态脉冲源设计[J]. 强激光与粒子束, 2017, 29: 045002. doi: 10.11884/HPLPB201729.160475
引用本文: 李玺钦, 吴红光, 栾崇彪, 等. 基于MOSFET的纳秒级全固态脉冲源设计[J]. 强激光与粒子束, 2017, 29: 045002. doi: 10.11884/HPLPB201729.160475
Li Xiqin, Wu Hongguang, Luan Chongbiao, et al. Design of nanosecond all-solid-state pulse source based on MOSFET semiconductor switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2017, 29: 045002. doi: 10.11884/HPLPB201729.160475
Citation: Li Xiqin, Wu Hongguang, Luan Chongbiao, et al. Design of nanosecond all-solid-state pulse source based on MOSFET semiconductor switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2017, 29: 045002. doi: 10.11884/HPLPB201729.160475

基于MOSFET的纳秒级全固态脉冲源设计

doi: 10.11884/HPLPB201729.160475
详细信息
    通讯作者:

    马成刚

Design of nanosecond all-solid-state pulse source based on MOSFET semiconductor switch

  • 摘要: 采用MOSFET半导体固态开关作为主放电开关取代气体开关、高压二极管替代充电电阻的技术方法,设计了一种基于功率MOSFET固态开关的纳秒级全固态脉冲源。设计的脉冲源主开关级数共5级,每级主开关分别由5只功率MOSFET半导体固态开关器件串联组成,开关通断控制采用脉冲隔离变压器同步驱动方式。在重复频率1 Hz~1 kHz、充电电压4 kV、负载阻抗为1 k条件下,可实现输出幅度大于20 kV、前沿小于10 ns且脉宽大于100 ns的高压快脉冲。通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,并给出了单次和重复频率(1 kHz)触发信号作用下全固态脉冲源输出的实验结果。
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-09-25
  • 修回日期:  2016-12-26
  • 刊出日期:  2017-04-15

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