留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

半浮栅晶体管Marx方波脉冲电源设计

饶俊峰 丁家林 李孜 姜松

饶俊峰, 丁家林, 李孜, 等. 半浮栅晶体管Marx方波脉冲电源设计[J]. 强激光与粒子束, 2017, 29: 105005. doi: 10.11884/HPLPB201729.170069
引用本文: 饶俊峰, 丁家林, 李孜, 等. 半浮栅晶体管Marx方波脉冲电源设计[J]. 强激光与粒子束, 2017, 29: 105005. doi: 10.11884/HPLPB201729.170069
Rao Junfeng, Ding Jialin, Li Zi, et al. Design of semi-floating-gate transistor square wave pulsating Marx power source[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2017, 29: 105005. doi: 10.11884/HPLPB201729.170069
Citation: Rao Junfeng, Ding Jialin, Li Zi, et al. Design of semi-floating-gate transistor square wave pulsating Marx power source[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2017, 29: 105005. doi: 10.11884/HPLPB201729.170069

半浮栅晶体管Marx方波脉冲电源设计

doi: 10.11884/HPLPB201729.170069
详细信息
    通讯作者:

    丁家林

Design of semi-floating-gate transistor square wave pulsating Marx power source

  • 摘要: 为得到工业需要的大电流高重频方波脉冲,分析并改进了半导体全控型Marx发生器,在充电的同时实现了截尾功能。设计采用新型半浮栅结构晶体管 (SFGT)作为主开关,可产生kV高压、百A大电流、高重频的方波脉冲。优化了电路结构,解决直流充电源受脉冲电源放电电压冲击问题。研制得到电流100 A、频率4 kHz、脉宽4 s、负高压6 kV、上升沿下降沿均在80 ns内的方波脉冲发生器。研究了相应的SFGT磁芯隔离驱动电路,结合了SFGT栅极并联自主电容隔离驱动和IR2110的半桥驱动电路,并对半桥上的MOS管的栅极等效电路进行了理论分析,驱动电路具有抗干扰能力强且脉宽调节范围大的特点。
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  1458
  • HTML全文浏览量:  231
  • PDF下载量:  313
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2017-03-06
  • 修回日期:  2017-05-16
  • 刊出日期:  2017-10-15

目录

    /

    返回文章
    返回