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纳米MOSFET毫米波噪声的简洁模型

刘人豪 王军

刘人豪, 王军. 纳米MOSFET毫米波噪声的简洁模型[J]. 强激光与粒子束, 2019, 31: 084102. doi: 10.11884/HPLPB201931.190059
引用本文: 刘人豪, 王军. 纳米MOSFET毫米波噪声的简洁模型[J]. 强激光与粒子束, 2019, 31: 084102. doi: 10.11884/HPLPB201931.190059
Liu Renhao, Wang Jun. Compact model of millimeter wave noise in nano-MOSFET[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2019, 31: 084102. doi: 10.11884/HPLPB201931.190059
Citation: Liu Renhao, Wang Jun. Compact model of millimeter wave noise in nano-MOSFET[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2019, 31: 084102. doi: 10.11884/HPLPB201931.190059

纳米MOSFET毫米波噪声的简洁模型

doi: 10.11884/HPLPB201931.190059
基金项目: 

国家自然科学基金项目 699010003

四川省教育厅资助科研项目 18ZA0502

详细信息
    作者简介:

    刘人豪(1992—), 男, 硕士, 主要研究方向为射频集成电路设计, 纳米MOSFET建模, 524097060@qq.com

    通讯作者:

    王军(1970—), 男, 博士, 教授, 主要研究方向为硅基微纳器件的物理表征技术、射频集成电路设计、微弱随机信号处理, junwang@swust.edu.cn

  • 中图分类号: TN386.1

Compact model of millimeter wave noise in nano-MOSFET

  • 摘要: 为了使复杂的纳米MOSFET毫米波噪声物理模型可用于工程设计,研究了其简洁模型的表达形式。通过器件的双端口相关噪声矩阵变换和分析,实现了复杂的噪声物理模型的简化。所提出的简洁模型不仅高精度地表征了器件的非准静态效应,并且可通过Verilog-A语言以四结点的形式,直接嵌入到ADS仿真设计工具,从而在保证精度的同时,大大降低了设计的复杂度。实验结果验证了所建模型在强反型区和弱反型区均比现有的三结点模型具有更高的准确性。
  • 图  1  MOSFET的二端口相关等效噪声电流模型

    Figure  1.  Two-port correlated equivalent noise current model for MOSFET

    图  2  MOSFET四结点相关噪声模型的Verilog-A代码

    Figure  2.  Verilog-A code for four-node correlated noise model of MOSFET

    图  3  四噪声参数与f/fT的关系

    Figure  3.  Four noise parameters vs f/fT

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出版历程
  • 收稿日期:  2019-03-05
  • 修回日期:  2019-05-28
  • 刊出日期:  2019-08-15

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