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长间隙真空触发开关导通特性

盖斐 陈仕修 陈堃 李俊 田微 肖集雄

盖斐, 陈仕修, 陈堃, 等. 长间隙真空触发开关导通特性[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 847-850. doi: 10.3788/HPLPB20122404.0847
引用本文: 盖斐, 陈仕修, 陈堃, 等. 长间隙真空触发开关导通特性[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 847-850. doi: 10.3788/HPLPB20122404.0847
Gai Fei, Chen Shixiu, Chen Kun, et al. Conduction characteristics of long-gap triggered vacuum switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 847-850. doi: 10.3788/HPLPB20122404.0847
Citation: Gai Fei, Chen Shixiu, Chen Kun, et al. Conduction characteristics of long-gap triggered vacuum switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 847-850. doi: 10.3788/HPLPB20122404.0847

长间隙真空触发开关导通特性

doi: 10.3788/HPLPB20122404.0847
详细信息
    通讯作者:

    盖斐

Conduction characteristics of long-gap triggered vacuum switch

  • 摘要: 基于真空触发开关的导通机理,设计了长间隙真空触发开关导通特性的实验方案。根据高速摄像图片讨论了长间隙真空触发开关的导通过程和影响导通特性的因素。通过实验得到了触发电流对间隙脉冲电流的影响规律:采用上升时间较短且峰值较高的触发电流,能够明显降低主间隙的火花电阻和导通延时,验证了对导通过程的理论预测。
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-11-21
  • 修回日期:  2011-12-28
  • 刊出日期:  2012-04-15

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