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半导体放电管固体场畸变三电极开关

赵越 王传伟 王凌云 刘宏伟 李洪涛 谢卫平

赵越, 王传伟, 王凌云, 等. 半导体放电管固体场畸变三电极开关[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 868-870. doi: 10.3788/HPLPB20122404.0868
引用本文: 赵越, 王传伟, 王凌云, 等. 半导体放电管固体场畸变三电极开关[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 868-870. doi: 10.3788/HPLPB20122404.0868
Zhao Yue, Wang Chuanwei, Wang Lingyun, et al. Semiconductor arrester solid field distortion three-electrode discharge switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 868-870. doi: 10.3788/HPLPB20122404.0868
Citation: Zhao Yue, Wang Chuanwei, Wang Lingyun, et al. Semiconductor arrester solid field distortion three-electrode discharge switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 868-870. doi: 10.3788/HPLPB20122404.0868

半导体放电管固体场畸变三电极开关

doi: 10.3788/HPLPB20122404.0868
详细信息
    通讯作者:

    赵越

Semiconductor arrester solid field distortion three-electrode discharge switch

  • 摘要: 基于半导体放电管过电压自击穿原理,探索设计了一种固体场畸变三电极开关。该开关由两组半导体放电管阵列印刷电路组成,受到触发时,一组半导体放电管阵列首先击穿,另一组阵列继而过电压自击穿,开关导通。实验测试了特定幅值触发脉冲时的负载电压,初步验证了半导体放电管固体场畸变三电极开关设计的可行性。讨论了降低开关导通电感,提高通流能力、工作电压及运行频率的方法。
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-10-24
  • 修回日期:  2012-11-22
  • 刊出日期:  2012-04-15

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