SiO<sub>2</sub>/HfO<sub>2</sub>高反射膜的研制

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SiO₂/HfO₂高反射膜的研制

程鑫彬, 沈正祥, 焦宏飞, 马彬, 张锦龙, 丁涛, 王占山

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程鑫彬, 沈正祥, 焦宏飞, 等. SiO2/HfO2高反射膜的研制[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 1276-1280. doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276

引用本文:

程鑫彬, 沈正祥, 焦宏飞, 等. SiO₂/HfO₂高反射膜的研制[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 1276-1280. doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276

Cheng Xinbin, Shen Zhengxiang, Jiao Hongfei, et al. SiO2/HfO2高反射膜的研制[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 1276-1280. doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276

Citation:

Cheng Xinbin, Shen Zhengxiang, Jiao Hongfei, et al. SiO₂/HfO₂高反射膜的研制[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 1276-1280. doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276

程鑫彬, 沈正祥, 焦宏飞, 等. SiO2/HfO2高反射膜的研制[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 1276-1280. doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276

引用本文:

程鑫彬, 沈正祥, 焦宏飞, 等. SiO₂/HfO₂高反射膜的研制[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 1276-1280. doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276

Cheng Xinbin, Shen Zhengxiang, Jiao Hongfei, et al. SiO2/HfO2高反射膜的研制[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 1276-1280. doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276

Citation:

Cheng Xinbin, Shen Zhengxiang, Jiao Hongfei, et al. SiO₂/HfO₂高反射膜的研制[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 1276-1280. doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276

SiO₂/HfO₂高反射膜的研制

doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276

程鑫彬^1,2,
沈正祥^1,2,
焦宏飞^1,2,
马彬^1,2,
张锦龙^1,2,
丁涛^1,2,
王占山^1,2, ,

1.
同济大学物理系,先进微结构材料教育部重点实验室,上海 200092;
2.
同济大学精密光学工程技术研究所,上海 200092

基金项目:

国家级.国家自然科学基金

通讯作者:
王占山

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- 被引次数: 0
出版历程
- 收稿日期: 2011-05-24
- 修回日期: 2011-12-16
- 刊出日期: 2012-06-15

SiO₂/HfO₂高反射膜的研制

1.
Key Laboratory of Advanced Micro-structure Materials,Department of Physics,Tongji University,Shanghai 200092,China;
2.
Institute of Precision Optical Engineering,Tongji University,Shanghai 200092,China

摘要:
主要讨论了电子束蒸发SiO2/HfO2薄膜的面形控制和损伤性能。研究了电子束蒸发工艺参数对薄膜应力以及面形的影响；分析了制备工艺对薄膜吸收、节瘤缺陷密度的影响，测量了制备薄膜的损伤阈值。研究结果表明：调整SiO2蒸发时的氧分压可以有效地将薄膜的应力控制在-250~-50 MPa。同时采用金属Hf蒸发可以显著地将节瘤缺陷密度从12.6 mm-2降低至2.7 mm-2，同时将损伤阈值从30 J/cm2提高至55 J/cm2。
- 应力 /
- 面形 /
- 吸收 /
- 节瘤缺陷 /
- 预处理 /
- 激光损伤
Abstract:
主要讨论了电子束蒸发SiO2/HfO2薄膜的面形控制和损伤性能。研究了电子束蒸发工艺参数对薄膜应力以及面形的影响；分析了制备工艺对薄膜吸收、节瘤缺陷密度的影响，测量了制备薄膜的损伤阈值。研究结果表明：调整SiO2蒸发时的氧分压可以有效地将薄膜的应力控制在-250~-50 MPa。同时采用金属Hf蒸发可以显著地将节瘤缺陷密度从12.6 mm-2降低至2.7 mm-2，同时将损伤阈值从30 J/cm2提高至55 J/cm2。
- stress /
- surface flatness /
- absorption /
- nodular defects /
- laser conditioning /
- laser induced damage

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