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强流电子束聚焦数值模拟

董攀 代志勇 谢宇彤 廖树清 朱隽 张篁

董攀, 代志勇, 谢宇彤, 等. 强流电子束聚焦数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 1970-1974. doi: 10.3788/HPLPB20122408.1970
引用本文: 董攀, 代志勇, 谢宇彤, 等. 强流电子束聚焦数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 1970-1974. doi: 10.3788/HPLPB20122408.1970
Dong Pan, Dai Zhiyong, Xie Yutong, et al. Particle-in-cell simulation on focusing of intense electron beam[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 1970-1974. doi: 10.3788/HPLPB20122408.1970
Citation: Dong Pan, Dai Zhiyong, Xie Yutong, et al. Particle-in-cell simulation on focusing of intense electron beam[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 1970-1974. doi: 10.3788/HPLPB20122408.1970

强流电子束聚焦数值模拟

doi: 10.3788/HPLPB20122408.1970

Particle-in-cell simulation on focusing of intense electron beam

  • 摘要: 采用粒子模拟(PIC)方法模拟了强流电子束在薄磁透镜中的聚焦。建立了强流电子束的聚焦模型,模拟了神龙一号加速器某次实验的结果,得到的模拟结果非常接近实验值,证明采用建立的PIC模型模拟强流束经过磁透镜时的聚焦是可信的。应用此模型模拟了电子束参数(入射半径、发射度、能散度、相位角等)对焦斑直径的影响, 结果表明:在模拟条件下,电子束平行入射时最佳束包络半径位于20.0~22.5 mm;发射度和能散度对焦斑直径的影响和理论公式吻合得较好;只有入射电子束包络半径和相位角匹配时才能得到小的焦斑直径。
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-10-31
  • 刊出日期:  2012-08-15

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