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小间隙异面电极结构的光导开关

王卫 夏连胜 谌怡 刘毅 邓建军

王卫, 夏连胜, 谌怡, 等. 小间隙异面电极结构的光导开关[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1261-1264. doi: 10.3788/HPLPB20132505.1261
引用本文: 王卫, 夏连胜, 谌怡, 等. 小间隙异面电极结构的光导开关[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1261-1264. doi: 10.3788/HPLPB20132505.1261
Wang Wei, Xia Liansheng, Chen Yi, et al. Narrow-gap opposed-contact photoconductive semiconductor switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 1261-1264. doi: 10.3788/HPLPB20132505.1261
Citation: Wang Wei, Xia Liansheng, Chen Yi, et al. Narrow-gap opposed-contact photoconductive semiconductor switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 1261-1264. doi: 10.3788/HPLPB20132505.1261

小间隙异面电极结构的光导开关

doi: 10.3788/HPLPB20132505.1261

Narrow-gap opposed-contact photoconductive semiconductor switch

  • 摘要: 介绍了应用于介质壁加速器的小间隙异面电极结构的光导开关。所用光导开关为异面结构的砷化镓(GaAs)光导开关,电极间隙5 mm,偏置电压为15~22 kV脉冲高压,工作在非线性(高增益)模式,由半导体激光器产生的脉冲激光触发。脉冲激光的中心波长为905 nm,脉冲宽度(FWHM)约20 ns,前沿约3.1 ns,抖动小于200 ps,峰值功率约90 W。实验结果表明:光导开关的偏置电压较低时,开关寿命较长,导通性能较差;偏置电压较高、驱动脉冲激光功率较大时,开关导通性能较好,寿命较短。
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-09-20
  • 修回日期:  2012-11-27
  • 刊出日期:  2013-03-12

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