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场发射冷阴极微栅孔阵列制备技术

赵兴海 施志贵 向伟 金大志 钱沐杨 苏伟 李男男 朱锦锋

赵兴海, 施志贵, 向伟, 等. 场发射冷阴极微栅孔阵列制备技术[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1475-1478. doi: 10.3788/HPLPB20132506.1475
引用本文: 赵兴海, 施志贵, 向伟, 等. 场发射冷阴极微栅孔阵列制备技术[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1475-1478. doi: 10.3788/HPLPB20132506.1475
Zhao Xinghai, Shi Zhigui, Xiang Wei, et al. Fabrication of micro-hole array for field emission cold cathode gates[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 1475-1478. doi: 10.3788/HPLPB20132506.1475
Citation: Zhao Xinghai, Shi Zhigui, Xiang Wei, et al. Fabrication of micro-hole array for field emission cold cathode gates[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 1475-1478. doi: 10.3788/HPLPB20132506.1475

场发射冷阴极微栅孔阵列制备技术

doi: 10.3788/HPLPB20132506.1475
详细信息
    通讯作者:

    赵兴海

Fabrication of micro-hole array for field emission cold cathode gates

  • 摘要: 实现了一种采用聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造技术加工的场发射阴极用亚微米栅极微孔阵列。设计了一套完整的工艺实验方案,首先采用微球自组装技术获得了亚微米级金属网孔掩膜,然后通过反应离子刻蚀技术获得了亚微米栅极孔阵列,从而实现了集成度高、分布均匀的周期性亚微米孔洞阵列的制备,微孔集成度达到108cm-2。实验研究了氧气刻蚀聚苯乙烯微球的规律。采用金属掩膜,四氟化碳干法刻蚀二氧化硅,获得了深度为500 nm的微孔。实验结果证明该工艺方案是一种获得大面积、均匀分布、集成度高的场发射冷阴极栅孔阵列的有效方法。
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-08
  • 修回日期:  2013-01-09
  • 刊出日期:  2013-04-08

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