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太赫兹源场致发射电子源

狄云松 张晓兵 雷威 章莉芳 崔云康 王琦龙 陈静

狄云松, 张晓兵, 雷威, 等. 太赫兹源场致发射电子源[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1494-1498. doi: 10.3788/HPLPB20132506.1494
引用本文: 狄云松, 张晓兵, 雷威, 等. 太赫兹源场致发射电子源[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1494-1498. doi: 10.3788/HPLPB20132506.1494
Di Yunsong, Zhang Xiaobing, Lei Wei, et al. Field emission electron source for terahertz source application[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 1494-1498. doi: 10.3788/HPLPB20132506.1494
Citation: Di Yunsong, Zhang Xiaobing, Lei Wei, et al. Field emission electron source for terahertz source application[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 1494-1498. doi: 10.3788/HPLPB20132506.1494

太赫兹源场致发射电子源

doi: 10.3788/HPLPB20132506.1494
详细信息
    通讯作者:

    狄云松

Field emission electron source for terahertz source application

  • 摘要: 通过粒子模拟(PIC)软件模拟计算了在ps级别下二极与三极结构碳纳米管场致发射的电流密度与电子注聚焦性能。阳极电压在2 kV时,二极结构下电流密度达到1.85 A/cm2;三极结构下,栅压700 V时发射电流密度达到2.3 A/cm2,且在一定的三极结构参数与电极电压下,可以获得较好的电子注聚束效果。通过碳纳米管二极管发射实验,获得了6.6 A/cm2的发射电流密度,总发射电流达到52.1 mA,可以为太赫兹器件提供连续发射的电子注。
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-12
  • 修回日期:  2012-12-12
  • 刊出日期:  2013-04-08

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