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磁控溅射硅基薄膜应力演化实时研究

李静平 方明 贺洪波 邵建达 李朝阳

李静平, 方明, 贺洪波, 等. 磁控溅射硅基薄膜应力演化实时研究[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 2826-2830. doi: 10.3788/HPLPB20132511.2826
引用本文: 李静平, 方明, 贺洪波, 等. 磁控溅射硅基薄膜应力演化实时研究[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 2826-2830. doi: 10.3788/HPLPB20132511.2826
Li Jingping, Fang Ming, He Hongbo, et al. In situ stress evolution in magnetron-sputtered Si-based thin films[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 2826-2830. doi: 10.3788/HPLPB20132511.2826
Citation: Li Jingping, Fang Ming, He Hongbo, et al. In situ stress evolution in magnetron-sputtered Si-based thin films[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 2826-2830. doi: 10.3788/HPLPB20132511.2826

磁控溅射硅基薄膜应力演化实时研究

doi: 10.3788/HPLPB20132511.2826

In situ stress evolution in magnetron-sputtered Si-based thin films

  • 摘要: 采用多光束应力实时测量装置监控并分析了磁控溅射Si和SiNx薄膜的总力及应力演化过程。在两种膜层中均观察到了应力释放及恢复现象。Si膜中应力是可逆的,而SiNx膜中应力是部分可逆的。物理吸附和解吸附分别是应力释放和恢复的主要原因。不可逆的应力分量来源于化学吸附,基于吸附机制建立了一个应力释放模型。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-11
  • 修回日期:  2013-06-14
  • 刊出日期:  2013-10-28

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