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15~20 mA多峰负氢离子源全三维数值模拟

陈颖

陈颖. 15~20 mA多峰负氢离子源全三维数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 014001. doi: 10.3788/HPLPB201426.014001
引用本文: 陈颖. 15~20 mA多峰负氢离子源全三维数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 014001. doi: 10.3788/HPLPB201426.014001
Chen Ying. Three-dimensional numerical simulation on 15~20 mA H- cusp source[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 014001. doi: 10.3788/HPLPB201426.014001
Citation: Chen Ying. Three-dimensional numerical simulation on 15~20 mA H- cusp source[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 014001. doi: 10.3788/HPLPB201426.014001

15~20 mA多峰负氢离子源全三维数值模拟

doi: 10.3788/HPLPB201426.014001

Three-dimensional numerical simulation on 15~20 mA H- cusp source

  • 摘要: 对自主开发的全三维粒子模拟/蒙特卡罗(PIC/MCC)算法进行了阐述,包括算法流程设计、碰撞处理机制等。采用该算法对中国原子能科学研究院研制的15~20 mA负氢离子源进行数值模拟研究,结果显示:该多峰会切离子源能得到空间分布均匀的离子束,采用优化后的虚拟过滤场,不仅能有效过滤高能电子,还将导致离子源下游区域低能电子增多,有效提高负氢离子体积产生效率。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-18
  • 修回日期:  2013-09-09
  • 刊出日期:  2014-01-15

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