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大电流密度碳纳米管场致发射阴极阵列的研制

陈泽祥 曹贵川 张强 朱炳金 林祖伦

陈泽祥, 曹贵川, 张强, 等. 大电流密度碳纳米管场致发射阴极阵列的研制[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18(12).
引用本文: 陈泽祥, 曹贵川, 张强, 等. 大电流密度碳纳米管场致发射阴极阵列的研制[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18(12).
chen ze-xiang, cao gui-chuan, zhang qiang, et al. Fabrication of large current density carbon nanotube based field emitters[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2006, 18.
Citation: chen ze-xiang, cao gui-chuan, zhang qiang, et al. Fabrication of large current density carbon nanotube based field emitters[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2006, 18.

大电流密度碳纳米管场致发射阴极阵列的研制

Fabrication of large current density carbon nanotube based field emitters

  • 摘要: 设计了一种由TiN,Al,Fe和牺牲层构成的堆栈式催化剂层结构,采用微波等离子体化学气相沉积法实现碳纳米管阵列高速笔直生长。SEM和TEM结果表明,生长出来的碳纳米管为典型的多壁碳纳米管,长度和直径均匀,排列整齐并垂直于基底,生长速率大于5 μm/min,晶格缺陷少。场致发射测试结果表明:碳纳米管的发射阵列具有良好的电流发射稳定性,最大电流密度大于6 A/cm2。紫外光电子能谱法(UPS)测试出碳纳米管的功函数为4.59 eV,则相应的场致发射陈列的场增强因子大于1 400。
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-12-15

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