留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

100 kA微秒导通时间等离子体断路开关研究

陈林 孙承纬 姜巍 王刚华 吴守东 姚斌 李晔 徐敏

陈林, 孙承纬, 姜巍, 等. 100 kA微秒导通时间等离子体断路开关研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(01).
引用本文: 陈林, 孙承纬, 姜巍, 等. 100 kA微秒导通时间等离子体断路开关研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(01).
chen lin, sun cheng-wei, jiang wei, et al. Research of 100 kA microsecond-conduction-time plasma opening switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.
Citation: chen lin, sun cheng-wei, jiang wei, et al. Research of 100 kA microsecond-conduction-time plasma opening switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2005, 17.

100 kA微秒导通时间等离子体断路开关研究

Research of 100 kA microsecond-conduction-time plasma opening switch

  • 摘要: 研制了最大导通电流约为100 kA的微秒导通时间等离子体断路开关,开展了该导通电流下的等离子体断路开关性能实验,得到的负载电流上升时间为54-76 ns,最高开关电压为1.38 MV,最高电压倍增系数达到4.9。建立了导通阶段开关区等离子体运动的二维雪耙模型,初步数值模拟结果表明,该模型对目前开展的实验有较好的预估能力。
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  2771
  • HTML全文浏览量:  340
  • PDF下载量:  756
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 刊出日期:  2005-01-15

目录

    /

    返回文章
    返回