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负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响

段玲珑 吴卫东 何智兵 许华 唐永建 徐金城

段玲珑, 吴卫东, 何智兵, 等. 负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(03).
引用本文: 段玲珑, 吴卫东, 何智兵, 等. 负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(03).
duan ling-long, wu wei-dong, he zhi-bing, et al. Effects of negative bias on structure and surface topography of Titanium films deposited by DC magnetron sputtering[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: duan ling-long, wu wei-dong, he zhi-bing, et al. Effects of negative bias on structure and surface topography of Titanium films deposited by DC magnetron sputtering[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响

Effects of negative bias on structure and surface topography of Titanium films deposited by DC magnetron sputtering

  • 摘要: 采用直流磁控溅射加负偏压的方法制备了Ti膜,研究了不同偏压条件对Ti膜沉积速率、密度、生长方式及表面形貌的影响。随着偏压逐渐增大,Ti膜沉积速率分三个阶段变化:0~ -40 V之间沉积速率基本不变; -40~ -80 V之间沉积速率迅速降低;超过-80 V后沉积速率随偏压的下降速度又放缓。Ti膜密度随偏压增加而增大,负偏压为-119.1 V时开始饱和并趋于块体Ti材密度。加负偏压能够抑制Ti膜的柱状生长方式;偏压可以改善Ti膜的表面形貌,对于40 W和100 W的溅射功率,负偏压分别在-100 V和-80 V左右时制备出表面光洁性能较佳的Ti膜。
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  • 刊出日期:  2008-03-15

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