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外电路参数对GaAs光导开关导通过程的影响

刘宏伟 袁建强 刘金锋 李洪涛 谢卫平 江伟华

刘宏伟, 袁建强, 刘金锋, 等. 外电路参数对GaAs光导开关导通过程的影响[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(02).
引用本文: 刘宏伟, 袁建强, 刘金锋, 等. 外电路参数对GaAs光导开关导通过程的影响[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(02).
liu hongwei, yuan jianqiang, liu jinfeng, et al. Influence of exterior electric parameters on GaAs photoconductive semiconductor switch’s turn-on process[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.
Citation: liu hongwei, yuan jianqiang, liu jinfeng, et al. Influence of exterior electric parameters on GaAs photoconductive semiconductor switch’s turn-on process[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.

外电路参数对GaAs光导开关导通过程的影响

Influence of exterior electric parameters on GaAs photoconductive semiconductor switch’s turn-on process

  • 摘要: 通过研究不同外电路参数条件下半绝缘GaAs光导开关的输出电流波形的差异,分析了外电路电参数对GaAs光导开关导通过程和工作模式的影响。实验开关由600 μm厚的半绝缘GaAs晶片制成,电极间隙为12 mm。使用波长为1 064 nm,5.2 mJ的激光脉冲进行了开关的触发实验。使用皮尔森电流探头测量开关放电电流波形。实验发现储能电容、回路电感等外电路参数对开关放电电流波形存在决定性影响,回路电感影响了导通电流的上升前沿,储能电容对于开关非线性模式的维持起决定作用,储能电容较大时才能够提供非线性模式维持所需的偏置电场。
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  • 刊出日期:  2010-02-15

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